求解“中国芯” 集成电路国产化稳步推进

　　“解决中国芯，支撑中国未来30年的发展。”在25日于江苏镇江举行的“集成电路产业创新（镇江）高端对话会”上，中科院微电子所所长、02专项专家组组长叶甜春表示，在国家重大专项等的持续推动下，中国初步完成了集成电路产业链的构建，一批企业开始脱颖而出。接下来，国家的持续投入对集成电路产业发展至关重要，技术上则要走向重视原始创新和集成创新的新路径。中芯国际技术研究发展顾问吴汉明等则详细阐述了产业面临的机遇和挑战，揭示中国在成熟制程领域的后发优势和先进制程领域弯道超车的机会。

　　产业需要持续投入

　　在叶甜春看来，必须解决“中国芯”问题，才能支撑中国未来30年的发展。集成电路技术是国家实力的战略制高点，这个融合了40多种科学技术及工程领域多种交叉学科和尖端制造技术的领域，对制造装备、精密机械、精密仪器、自动化、精细化工和新材料业有直接的带动。

　　值得关注的是，据叶甜春介绍，武汉新芯与中科院微电子所联合完成了39层3D-NAND工艺流程搭建和原型结构开发，各项结构参数达到要求，开始产品试制。近期紫光集团收购武汉新芯多数股权后，成立长江存储科技有限责任公司，由赵伟国出任董事长。紫光旗下紫光国芯为其存储器整合平台，作为国内存储器设计第一梯队公司，紫光国芯除定增募资800亿元筹建存储厂外，近期还斥资1亿元成立全资子公司紫光国芯微电子，进一步拓展IC设计业务领域。对此，美光半导体公司相关人士表示，武汉新芯在3D-NAND领域取得的进展令人震惊和欣喜，这显示其跟国内其他厂相比，已经成为具有国际化人才和技术的公司。资料显示，目前，在3D-NAND领域，三星量产了48层产品，64层和90层正在研发中。

　　在国家的大力支持和国家重大专项等引领下，中国集成电路产业整个产业链布局已基本完善，一批企业脱颖而出。叶甜春介绍说，封装技术从低端走向高端，技术达到国际先进水平；关键装备和材料实现从无到有，部分产品进入14nm研发，制造工艺更是取得长足发展，28nm进入量产，14nm研发获得突破；系统级芯片设计能力与国际先进水平的差距大幅缩小。其中，中微半导体、北方微电子（已被七星电子并购）、七星华创、睿励科学仪器、上海盛美、沈阳拓荆等一批公司崭露头角。

　　叶甜春进一步强调，国家和企业的持续投入对集成电路产业发展至关重要。历史上，由于没有连续性投入导致我国集成电路产业发展间歇性停滞，其结果是与国际先进的差距愈来愈大。为此，国家应在重大专项和重点科技计划上进一步加大力度，投资特别是技术研发资金的投入必须有持续性，才能跟得上国际步伐。

　　技术进入原始创新

　　叶甜春认为，中国集成电路产业已经进入一个由追赶到原创的新阶段，新形势下，中国集成电路产业应更注重创新，特别是原始创新和集成创新。

　　以往，中国的集成电路走的是“引进消化吸收再创新”的路子，产业和企业的发展都处于“追赶模式”。但随着制程的演进和中国集成电路产业的发展，一方面自身加快研发，一方面实施并购整合，中国集成电路产业和技术都达到了一个新的高度。紧跟领先者的情况下，不再有那么多的他人经验可借鉴，与国外一样，中国集成电路产业开始进入“摸着石头过河”的探索阶段。

　　叶甜春表示，中国集成电路要保持后劲，就必须对创新更加重视，加强基础研究、培育原始创新和集成创新刻不容缓。创新的重点一是面向产业结构调整、战略性新兴产业和社会服务智能化，开展全局性、系统性、集成性创新，推动产业链创新；二是从跟随战略转向创新跨越，在全球产业创新链中形成自己的特色，这就要立足中国市场实现世界创新，在若干核心技术领域形成具有特色的创新技术和创新产品，通过产业链协同，从技术创新转入商业模式创新。

　　后发优势与机遇

　　值得关注的是，在本次高端对话会上，基于后摩尔时代来临，吴汉明等详细阐述了产业面临的机遇和挑战，揭示了中国在成熟制程领域的后发优势和先进制程领域弯道超车的机会。

　　在摩尔制程内，面对国际半导体巨头半个世纪的积累和持续高额的科研投入，中国的产业基础和科研投入都决定了很难与其争锋，只能缩小与世界先进的差距。不过，在摩尔制程突破越来越难、半导体应用技术出现巨大转机的情况下，中国有望在“后摩尔时代”出奇制胜，在成熟制程领域凸显后发优势，在先进制程领域弯道超车。

　　在后摩尔时代，中国集成电路产业具有弯道超车的机会。吴汉明认为，在后摩尔时代，碎片化的市场将带来混乱和大量的摧毁性创意，大量基础创新涌现，基础研究的机遇空前；市场则呈现出多样化的发展，如物联网（IoT）、射频（RF）、MEMS和传感器等，集成电路设计公司大有可为；产业链整体创新机遇凸显，尤其是在设计环节，包括设计IP的公共平台建设。

　　在泛林半导体中国区总经理刘二壮看来，物联网将给集成电路产业带来新的发展动力，极大延长成熟制程技术和工厂的寿命。物联网对低成本、低功耗、高效率的要求，给集成电路材料、封装和制造提出新的要求和发展动力，带动了宽禁带半导体材料、SIP封装等技术发展，使得中国集成电路产业有机会与国际巨头在同一起跑线上竞争。，鉴于物联网中半导体器件将有80%是采用28nm以下成熟工艺，这将大大延长那些8英寸厂甚至6英寸厂的生命，给了中国集成电路成熟制程领域更多的发展机遇，使得中国在成熟制程领域凸显出后发优势。

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