第三代半导体原材料股（第三代半导体产业）

第一代、第二代、第三代半导体材料是什么-有什么区别

第三代半导体材料特点及资料介绍

第三代半导体有什么？

为什么氮化镓能够成为第三代半导体的核心材料啊？

华微电子已经开始布局第三代半导体材料器件产品了吗？

第三代半导体有什么？

第三代半导体是中国“芯”崛起的希望吗

1、第一代、第二代、第三代半导体材料是什么-有什么区别

内容来自用户:中国智博库

第一代、第二代、第三代半导体材料是什么?有什么区别
第一代半导体材料概述第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅，在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。
第二代半导体材料概述第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。
第二代半导体材料主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。因信息高速公路和互联网的兴起，还被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。
第三代半导体材料概述第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（Eg》2.3eV）半导体材料。在应用方面，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他全球4

2、第三代半导体材料特点及资料介绍

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3、第三代半导体有什么？

以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料称为第三代半导体材料。

4、为什么氮化镓能够成为第三代半导体的核心材料啊？

为什么氮化镓能够成为第三代半导体的核心材料啊？半导体技术在不断提升，端设备对于半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高。寻找硅（Si）以外新一代的半导体材料也随之变得更加重要。在50多年前被广泛用于LED产品的氮化镓（GaN），走入大众视野。特别是随着5G的即将到来，也进一步推动了以氮化镓代表的第三代半导体材料的快速发展。
射频功率放大器（PA）作为射频前端发射通路的主要器件，通常用于实现发射通道的射频信号放大。5G将带动智能移动终端、基站端及IOT设备射频PA稳健增长，智能移动终端射频PA市场规模将从2017年的50亿美元增长到2023年的70亿美元，复合年增长率为7%，高端LTE功率放大器市场的增长，尤其是高频和超高频，将弥补2G/3G市场的萎缩。
GaN器件则以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域，在5G 时代需求将迎来爆发式增长。
氮化镓的前世今生
氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，属于极稳定的化合物，自1990年起常用在发光二极管中。它的坚硬性好，还是高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
1998年中国十大科技成果之一是合成纳米氮化镓；
2014年3月，美国雷声公司氮化镓晶体管技术获得突破，完成了历史性X-波段GaN T/R模块的验证；
2015年1月，富士通和美国Transphorm在会津若松量产氮化镓功率器件；2015年3月，松下和英飞凌达成共同开发氮化镓功率器件的协议；同月，东芝照明技术公司开发出在电源中应用氮化镓功率元件的卤素LED灯泡；
2016年2月，美国否决中资收购飞利浦，有无数人猜测是美帝在阻止中国掌握第三代LED氮化镓技术；
2016年3月，科巴姆公司与RFHIC公司将联合开发GaN大功率放大器模块。
GaN是第三代半导体材料，相比于第一代的硅（Si）以及第二代的砷化镓（GaAs）等，它具备比较突出的优势特性。由于禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。
也就是说，利用GaN人们可以获得具有更大带宽、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半导体器件。

5、华微电子已经开始布局第三代半导体材料器件产品了吗？

是的，前段时间看新闻报道的时候看到了，目前华微电子目前正在加大对第三代半导体材料器件产品的布局。吉林省商务厅官网显示斥资102亿元建设半导体产业园，项目建成后，预计年销售收入61.91亿元，利润20.43亿元，投回收期7年(税后，含建设期2年)，投资利润率20%。

6、第三代半导体有什么？

以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料称为第三代半导体材料。

7、第三代半导体是中国“芯”崛起的希望吗

全球半导体业己处于成熟阶段，如增长缓慢，兼并加剧，以及”大者恒大”。除了三星，台积电，英特尔，东芝，海力士等少数超级大厂仍继续投资之外，更多的IDM芯片制造厂是执行“轻晶园厂策略”，”Fablite”，它们的作法是纷纷售出芯片生产线