1平方纳米储存单位面世！将应用于消费电子等产

　　据物理学家组织网23日 报道，美国科学家研制出了迄今最小的存储设备，其横截面积仅1平方纳米，容量约为25兆比特/平方厘米，与目前的商用闪存设备相比，每层的存储密度提高了100倍。研究人员表示，最新研究有助于科学家研制出更快、更小、更智能、更节能的芯片，应用于从消费电子到类脑计算机等多个领域。

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　　据外媒Ne Atlas报道，得克萨斯大学的工程师们创造了有史以来最小的记忆存储设备之一，由一种二维材料制成，横截面面积只有一平方纳米。这种被称为 “原子电阻”的装置是通过单个原子的运动来工作的，这将为具有难以置信的信息密度的更小的记忆系统铺平道路。

　　这种新设备属于一类新兴的电子器件，称为记忆电阻（Memristors），它使用电阻开关存储数据。从本质上讲，当某种材料暴露在一定的电压下时，其电阻可以切换，变得更强或更弱。这种现象可用于将数据写入设备，随后可测量其相对电阻以“读取”存储的数据。

　　在这种情况下，这种电阻开关是通过单原子移入和移出纳米级孔来处理的，这将改变材料的导电性。有关材料是二硫化钼，尽管该团队表示，这一概念也应该适用于一系列类似的材料。

　　“缩放的科学圣杯是下降到一个原子控制记忆功能的水平，这就是我们在新研究中完成的，”该研究的相应作者Deji Akinande说。

　　该团队表示，新装置是有史以来最小的原子存储器单元。二硫化钼被制作成尺寸为1×1纳米的薄片，厚度只有一个原子。如果要扩大规模，它可以用来制造每平方厘米约25TB的存储容量的芯片，这比目前的闪存所能提供的容量高100倍左右。它运行所需的能量也更少。

　　“这项工作取得的成果为开发未来一代应用铺平了道路。。。。。。如超密集存储、神经形态计算系统、射频通信系统等。”美国陆军研究办公室项目经理Pani Varanasi说。

　　该研究成果发表在《自然-纳米技术》杂志上。