新能源车、光伏等行业大量替换 第三代半导体或

汽车电动化时代，对高压充电平台和功率器件的需求愈加严苛。在这场变革中，SiC以其独特的优势崭露头角。耐高压、耐高温、高效率、高频率、抗辐射等特性，使得SiC在电控场景中的能量损耗比Si基芯片减少一半。这不仅让SiC有潜力取代IGBT，成为未来高压充电平台的核心器件，更是电动汽车性能提升和应用体验度增强的关键所在。

据意法半导体的研究，使用SiC器件能使电动车平均减重150至200公斤，电池的寿命得以延长，电车的续航里程平均超过600公里。在中国半导体行业协会的报告中，采用碳化硅技术能够显著降低成本，整车成本可节省约2000美元。这其中包括600美元的电池成本、600美元的汽车空间成本以及1000美元的散热系统成本。随着新能源车、光伏发电等行业的快速发展，SiC的市场规模预计在不久的将来会迎来一个快速增长期。特别是在2022至2024年间，随着SiC渗透率的提升和短期内器件价格的稳定下调，SiC器件市场有望迎来增速最快的三年周期。

在这个蓬勃发展的行业中，众多企业已经开始布局SiC领域。一些上市公司积极与新能源车企合作，开展SiC功率芯片的研发制造工作。他们正按照车规级质量管理体系的要求推进相关工作，不久将发布适用于高效率、高功率的SiC功率芯片。国星光电推出的第三代半导体SiC功率分立器件产品和GaN-DFN器件已经能够应用于汽车充电桩等领域。目前，这些产品正处于小批量生产的阶段，并已经开始接单，配合客户进行送样测试。

随着技术的不断进步和市场的持续扩大，SiC将在汽车电动化领域发挥更大的作用。它不仅将有助于提高电动汽车的性能和效率，还将为整个行业带来更大的经济效益。可以预见，未来的汽车将更加智能、高效、环保，而SiC作为核心技术的代表，将为这一变革提供强有力的支持。