英诺赛科被两大国际巨头“专利围剿”，获曾毓群等多轮投资后赴港IPO

英诺赛科：专利风波背后的半导体新星

在国产手机竞相追逐充电功率的热潮中，氮化镓充电器以其体积小、充电效率高的特点脱颖而出。这背后，是国内氮化镓芯片产业的蓬勃发展，尤其是英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（简称英诺赛科）在全球氮化镓功率半导体领域的崛起。

近日，英诺赛科正式向港交所递交招股书，计划主板IPO上市。作为全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓（GaN）晶圆的公司，英诺赛科的身份颇为引人注目。虽然目前仍面临半导体巨头的专利诉讼和亏损状况，但其市场前景和潜力不容忽视。

关于亏损问题，英诺赛科在短短几年间经历了飞速的发展。从2021年至2023年，虽然营业收入不断增长，但由于初始研发阶段的成本高昂，公司各年度均出现亏损。随着生产规模的扩大和技术的成熟，其毛利率也在逐年改善。

英诺赛科的成功与其深厚的技术背景和强大的投资方支持密不可分。创始人骆薇薇在NASA的丰富经验以及深厚的第三代半导体技术背景为公司的起步奠定了坚实的基础。而在公司发展过程中，也得到了各级及投资机构的大力支持。从最初的成立到现在，英诺赛科已经完成了多轮融资，参投机构包括国资、大型企业和知名投资机构。最近的一次融资更是获得了两大国资的重磅投资。

氮化镓作为第三代半导体材料的主要代表，其应用领域广泛，包括消费电子、射频微波、5G、探测器、激光器等多个领域。英诺赛科的氮化镓产品从分立器件到集成电路、晶圆及模组，广泛应用于多个领域，尤其是随着新能源汽车和数据中心等领域的快速发展，其市场需求将持续增长。

英诺赛科的生产基地规模全球领先，具备从设计到制作到封装测试的全流程自主能力。其晶圆良率超过95%，在全球氮化镓功率半导体市场中排名第一，市场份额高达33.7%。

面对国际竞争和专利纠纷，英诺赛科凭借其技术实力和创新能力，在市场中占据了一席之地。随着公司规模的扩大和技术的不断进步，英诺赛科有望在未来半导体市场中发挥更加重要的作用。

英诺赛科虽然面临专利纠纷和短期亏损的挑战，但其强大的技术背景、广泛的市场应用前景和强大的投资方支持，使其具备强大的发展潜力。在未来的半导体市场中，英诺赛科有望成为一颗璀璨的新星。【重磅】英诺赛科再起波澜：巨头增资背后的专利风云与挑战

随着宁德时代董事长曾毓群的2亿元增资，英诺赛科在行业内的影响力愈发显著。这一增长背后却隐藏着激烈的专利风云与挑战。

曾毓群在取得英诺赛科股权后，将其转给了妻子洪华灿，这一举动引起了市场的广泛关注。与此英诺赛科的客户G也逐渐崭露头角，成为其第一大客户，贡献的收入占据相当大的比例。经过深入调查，发现客户G与宁德时代在电池制造领域的专长高度相符，使得英诺赛科与宁德时代的关联更加引人猜想。

正当英诺赛科在业务上取得进展之际，却遭到了国际巨头的专利侵权指控。美国氮化镓厂商宜普公司（EPC）指控英诺赛科侵犯了其四项核心专利，认为英诺赛科的产品与其关键性能指标几乎相同，并在销售过程中宣称与EPC产品“完全兼容”。EPC要求获得侵权赔偿，并希望禁止英诺赛科在美销售相关氮化镓产品。

面对这一指控，英诺赛科已经向美国专利商标局递交了上述EPC专利的无效申请。目前，部分专利主张已被撤销，但其他专利仍在接受审查。据《第一财经》报道，国际贸易委员会（ITC）已判定英诺赛科侵犯了EPC的一项专利。英诺赛科对此表示将提出上诉，并等待最终的裁定。

除了在美国的诉讼，德国半导体公司英飞凌也针对英诺赛科的专利侵权提起诉讼，并在德国慕尼黑地方法院获得初步禁令。尽管如此，英诺赛科在境外的销售收入占比较小，但业内人士担忧，若客户的产品需要在美国销售，其与英诺赛科的合作可能受到影响。

尽管面临专利纠纷和诉讼挑战，但氮化镓市场的发展前景依然光明。据英诺赛科的招股书数据，全球氮化镓功率半导体市场规模正在快速增长，预计将在未来几年内持续扩大。尤其在消费电子、电动汽车、可再生能源及工业领域、数据中心等领域，氮化镓的应用前景广阔。

面对激烈的市场竞争和专利纠纷，英诺赛科能否赢得专利诉讼、实现业务增长和扭亏为盈，仍然是一个悬念待解的问题。《洞察IPO》将持续关注这一话题，为读者带来最新报道和分析。亲爱的读者们：

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